[導(dǎo)讀:]很多人不了解為什么無(wú)塵室要對(duì)濕度的要求這么高,必須得在這個(gè)范圍內(nèi),超出或者低于都不行,這就有點(diǎn)太強(qiáng)勢(shì)了對(duì)吧,其實(shí)有這個(gè)要求也是對(duì)我們的一種負(fù)責(zé)。
很多人不了解為什么無(wú)塵室要對(duì)濕度的要求這么高,必須得在這個(gè)范圍內(nèi),超出或者低于都不行,這就有點(diǎn)太強(qiáng)勢(shì)了對(duì)吧,其實(shí)有這個(gè)要求也是對(duì)我們的一種負(fù)責(zé)。下面中凈環(huán)境為大家介紹。
濕度是無(wú)塵室運(yùn)行全過(guò)程中一個(gè)常見的自然環(huán)境操縱標(biāo)準(zhǔn)。半導(dǎo)體材料凈化室中相對(duì)性濕度的總體目標(biāo)bai值大概操縱在30至50%的范疇內(nèi),容許出現(xiàn)偏差的原因在±1%的狹小的范疇內(nèi),比如光刻技術(shù)區(qū)──或是在遠(yuǎn)紫外光解決(DUV)區(qū)乃至更小──而在別的地區(qū)則能夠釋放壓力到±5%的范疇內(nèi)。由于相對(duì)性濕度有一系列很有可能使凈化室整體主要表現(xiàn)降低的要素,在其中包含:病菌生長(zhǎng)發(fā)育;工作員覺得室內(nèi)溫度舒服的范疇;出現(xiàn)靜電作用;電化學(xué)腐蝕;水蒸氣冷疑;光刻技術(shù)的衰退;吸水能力。
病菌和別的生物入侵(黃曲霉菌,病原體,細(xì)菌,滿蟲)在相對(duì)性濕度超出60%的自然環(huán)境中能夠活躍性地繁育。一些有益菌在相對(duì)性濕度超出30%時(shí)就可以提高。而相對(duì)性濕度處在40%至60%的范疇中間時(shí),能夠使病菌的危害及其上呼吸道感染降至最少。因此 凈化室相對(duì)性濕度要操縱在一定范疇。
對(duì)濕度在40%至60%的范疇一樣也是人們覺得舒服的適當(dāng)范疇。假如凈化室濕度過(guò)過(guò)高讓人感覺憋悶,而濕度小于30%則會(huì)令人覺得干躁,皮膚皸裂,呼吸系統(tǒng)不適感及其感情上的不悅,進(jìn)而危害工作中。
當(dāng)相對(duì)性濕度超出50%時(shí),靜電作用剛開始快速消退,可是當(dāng)相對(duì)性濕度低于30%時(shí),他們能夠在導(dǎo)體和絕緣體或是未接地裝置的表層上不斷存有較長(zhǎng)一段時(shí)間。凈化室相對(duì)性濕度在35%到40%中間能夠做為一個(gè)比較滿意的最合適的,半導(dǎo)體材料凈化室一般都應(yīng)用附加的操縱設(shè)備以限定靜電作用的累積。
在高的相對(duì)性濕度自然環(huán)境下,因?yàn)樗莸南眨箍局蒲h(huán)系統(tǒng)后光刻技術(shù)澎漲加劇。光刻技術(shù)粘合力一樣還可以遭受較高的相對(duì)性濕度的不良影響;較低的相對(duì)性濕度(約30%)使光刻技術(shù)粘附更為非常容易,乃至不用匯聚改性材料,如六羥基二硅氮烷(HMDS)。
許多 化學(xué)變化的速率,包含浸蝕全過(guò)程,將伴隨著相對(duì)性濕度的提高而加速。一些金屬材料,比如鋁,能夠與水產(chǎn)生一層維護(hù)型的金屬氧化物,并阻攔進(jìn)一步的氧化還原反應(yīng);另一種金屬材料,比如氯化銅,不是具備維護(hù)工作能力的。在高濕度的自然環(huán)境中,銅質(zhì)表層更非常容易遭受浸蝕。
以上就是深圳中凈環(huán)境為大家?guī)?lái)的“無(wú)塵室濕度有要求的原因”,希望能對(duì)您有所幫助。其實(shí)很好理解,不管是我們自己還是設(shè)備,如果長(zhǎng)時(shí)間處在濕潤(rùn)或者干燥的環(huán)境中,都會(huì)不怎么習(xí)慣的。
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